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    同惠 TH510系列半导体C-V特性分析仪让新能源车充电效率更快

    2024-11-18

    一、研究背景

    随着我国加快实现“碳达峰、碳中和”的目标,电气化替代已成为实现目标的关键。近年来新能源呈爆发式增长,充电桩作为新能源汽车的基础配套设备,其数量与质量也是消费者选择电动汽车的重要影响因素。当前,MOSFET在国内充电桩企业批量应用,是新能源汽车充电桩的“心脏”。

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    MOSFET即金属-氧化物-半导体场效应晶体管,简称MOS管,主要有三个引脚:漏极、源极和栅极,属于绝缘栅型,其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。

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    二、为什么要测试MOSFET的好坏?

    在充电桩中,开关电源是一种高频化电能转换装置,MOS管可以利用电场效应来控制其电流大小,当使用有故障的MOS管时,会发生漏极到栅极的短路,对电路有害,而MOS管是实现电能高效率转换,确保充电桩稳定不过热的关键器件。

    具体测试方案如下:

    1、测试对象

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    (为?;た突畔踩?,图片来源于网络,仅供参考)


    2、测试要求

    VGS:20V左右,VDS:0-1000V,做来料检测,需要能呈现MOS产品规格书里的C-V特性曲线,测试输入、输出、反向传输电容。


    3、测试过程

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    MOSFET或IGBT最重要的四个寄生参数:Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一键测试,TH510系列半导体C-V特性分析仪10.1寸大屏可同时将测量结果、等效电路图、分选结果等重要参数同时显示,一目了然。

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    一键测试单管器件器件时,无需频繁切换测试脚位、测量参数、测量结果,大大提高了测试效率。


    三、TH510系列半导体C-V特性分析仪

    1、列表测试,多个、多芯、模组器件测量参数同屏显示

    TH510系列半导体C-V特性分析仪支持最多6个单管器件、6芯器件或6模组器件测试,所有测量参数通过列表扫描模式同时显示测试结果及判断结果。

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    2、曲线扫描功能(选件)

    在MOSFET的参数中,CV特性曲线也是一个非常重要的指标,如下图

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    TH510系列半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析,可以以对数、线性两种方式实现曲线扫描,可同时显示多条曲线:同一参数、不同Vg的多条曲线;同一Vg、不同参数多条曲线。

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    3、独创的接触检查(Contact)功能,提前排除自动化测试隐患

    在高速测试特别是自动化测试中,经?;嵊捎诳焖俨灏位虮蘸?,造成测试治具或工装表面磨损而接触不良,接触不良造成的最直接后果是误判测试结果而难以发现,在废品率突然增加或发出产品故障原因退回时才会发现,因此是一个极大的隐患。

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    同惠TH510系列半导体C-V特性分析仪采用了独特的硬件测试方法,可及时发现接触不良故障,出现故障之后自动停止测试并在测试界面提供接触不良点提示。

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    保障了结果的准确性,同时利于客户及时发现问题,避免了不良品率提高及故障品退回等带来的损失。


    4、独创的快速通断测试(OP_SH),排除损坏器件

    在半导体器件特性测试时,由于半器件本身是损坏件,特别是多芯器件其中一个芯已经损坏的情况下,测试杂散电容仍有可能被为合格,而半导体器件的导通特性才是最重要的特性。

    因此,对于本身导通特性不良的产品进行C-V特性测试是完全没有必要的,不仅仅浪费了测量时间,同时会由于C-V合格而混杂在良品里,导致成品出货后被退回带来损失。

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    TH510系列半导体C-V特性分析仪提供了快速通断测试(OP_SH)功能,可用于直接判断器件本身导通性能。


    5、独创模组式器件设置,支持定制

    针对模组式器件如双路(Dual)MOSFET、多组式IGBT,有些器件会有不同类型芯片混合式封装;TH510系列CV特性分析仪针对此情况做了优化,常见模组式芯片Demo已内置,特殊芯片支持定制。

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